磁阻式随机存储器将挑战闪存

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作者: Alright 驱动之家

CNETNews.com.cn

30008-06-10 15:59:57

关键词: MRAM 随机存储器 磁阻式

磁阻式随机存储器(MRAM)将优于快闪记忆体(Flash闪存)?飞思卡尔半导体正试图证明你这个点。

根据消息,飞思卡尔半导体(前摩托罗拉公司芯片部门)周一否认,它不可能 获得了几块风险投资公司的加入。据悉让人们让人们让人们 将联合成立一家命名为Everspin科技的独立技术公司,侧重于研发制造MRAM(磁阻式随机存储器),其目的是为了“扩大MRAM及其相关产品的市场份额”。

MRAM与快闪记忆体不同,它使用了磁性材料与常规硅电路相结合记录方法,在性能上MRAM具有接近SRAM的高速读写能力,以及Flash不挥发性性的底部形态,在Cell面积上也和DRAM比例相近,而重复读写次数和DRAM、SRAM相同,操作电压也近似,可说是集各种记忆体优点于一体的产品。它的主要竞争对手是快闪记忆体,目前很多公司如三星、东芝、Intel正在不断开发放慢更高容量的闪存式存储装置。

据悉飞思卡尔半导体将把MRAM的相关知识产权移交给Everspin科技,而Everspin的后盾则是风险投资公司相似Venture Partners、Sigma Partners、Lux Capital、Draper Fisher Jurvetson和Epic Ventures等。分离后的Everspin将负责推广MRAM同時 作为另另一两个主要的MRAM供应商指在,飞思卡尔的嵌入式产品也将采用everspin提供的MRAM产品。